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Titel:

A drift-diffusion simulation model for organic field effect transistors: on the importance of the Gaussian density of states and traps

Dokumenttyp:
Zeitschriftenaufsatz
Autor(en):
Darwish, Mohammed; Gagliardi, Alessio
Zeitschriftentitel:
Journal of Physics D: Applied Physics
Jahr:
2019
Band / Volume:
53
Heft / Issue:
10
Seitenangaben Beitrag:
105102
Volltext / DOI:
doi:10.1088/1361-6463/ab605d
Verlag / Institution:
IOP Publishing
E-ISSN:
0022-37271361-6463
Publikationsdatum:
27.12.2019
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