Fässler, Thomas F. (Prof. Dr.); Gasteiger, Hubert A. (Prof. Dr.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
CHE Chemie
TU-Systematik:
CHE 380d
Kurzfassung:
In this work, alloy-based anodes on the basis of germanium and tin for lithium-ion-batteries are prepared and electrochemically tested. Starting from the Zintl phases K4Sn9, K4Ge9 und K4Ge5Sn4, inverse opal structured thin films were prepared by application of various wet-chemical synthetic strategies. Doping experiments were conducted in order to tune the properties of the resulting thin films. Germanium anodes showed high capacities and stability towards charge-discharge cycling, making them a promising candidate for long-lifetime applications. Transfer to phosphorus films based on K3P7 is discussed.
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In this work, alloy-based anodes on the basis of germanium and tin for lithium-ion-batteries are prepared and electrochemically tested. Starting from the Zintl phases K4Sn9, K4Ge9 und K4Ge5Sn4, inverse opal structured thin films were prepared by application of various wet-chemical synthetic strategies. Doping experiments were conducted in order to tune the properties of the resulting thin films. Germanium anodes showed high capacities and stability towards charge-discharge cycling, making them a...
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Übersetzte Kurzfassung:
In dieser Arbeit werden Legierungsanoden basierend auf Germanium und Zinn für Lithium-Ionen-Batterien hergestellt und elektrochemisch getestet. Ausgehend von den Zintl-Phasen K4Sn9, K4Ge9 und K4Ge5Sn4 wurden durch Anwendung verschiedener, nasschemischer Synthesestrategien Dünnfilme mit inverser Opalstruktur präpariert. Die Eigenschaften der Filme werden durch Dotierungsexperimente verändert. Germaniumanoden zeigten hohe Kapazitäten und Zyklenstabilität, vielversprechend für Anwendung in Systemen mit langer Lebensdauer. Die Übertragung auf Phosphor-basierte Filme ausgehend von K3P7 wird besprochen.
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In dieser Arbeit werden Legierungsanoden basierend auf Germanium und Zinn für Lithium-Ionen-Batterien hergestellt und elektrochemisch getestet. Ausgehend von den Zintl-Phasen K4Sn9, K4Ge9 und K4Ge5Sn4 wurden durch Anwendung verschiedener, nasschemischer Synthesestrategien Dünnfilme mit inverser Opalstruktur präpariert. Die Eigenschaften der Filme werden durch Dotierungsexperimente verändert. Germaniumanoden zeigten hohe Kapazitäten und Zyklenstabilität, vielversprechend für Anwendung in Systemen...
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