Stutzmann, Martin (Prof. Dr.); Koblmüller, Gregor (Priv.-Doz. Dr.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
PHY Physik
Kurzfassung:
The thermal management of 3D GaN-based devices is addressed by the integration of GaN nanostructures on diamond substrates as an ideal heat sink. Further, the formation of the nanostructure side facets during selective area molecular beam epitaxy is investigated in order to control the surface morphology of these structures. Finally, a detailed study on the environmental sensitivity of GaN nanostructures is presented.
Übersetzte Kurzfassung:
Das Wärmemanagement von 3D-Bauelementen auf GaN-Basis wird durch die Integration von GaN-Nanostrukturen auf Diamantsubstraten als ideale Wärmesenke angegangen. Ferner wird die Bildung der Seitenfacetten der Nanostrukturen während der Molekularstrahlepitaxie untersucht, um die Oberflächenmorphologie dieser Strukturen zu kontrollieren. Schließlich wird eine detaillierte Studie über die Umweltempfindlichkeit von GaN-Nanostrukturen vorgestellt.
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology