A novel demultiplexer circuit using flip-chip bonded Si Schottky diodes sampling circuit is demonstrated for optical communication receiver. A sampler-based demultiplexer circuit theory is presented and simulated for an optically preamplified direct detection system. For its experimental demonstration, very high-speed Si Schottky diodes are modelled applying the Root-diode model. The flip-chip bonding connections are simulated with the 3-dimensional electro-magnetic simulator and an equivalent circuit model is established and plugged into the circuit simulator. With the extracted diode model and the developed flip-chip bonding equivalent circuit, the diode sampling circuit is designed and simulated using a nonlinear circuit simulator. For the purpose of reducing deterministic intersymbol interferences, an equalizer circuit with the zero-forcing algorithm is designed and simulated. The measurement results display the demultiplexed signal output, as expected in the simulation. Using the matured Si technology, the high-speed demultiplexer circuit can be constructed in an analogue way using 2 terminal devices, namely Si Schottky diodes. This method is expected to reduce the bottleneck in the electronic part of optical communication links.     «

A novel demultiplexer circuit using flip-chip bonded Si Schottky diodes sampling circuit is demonstrated for optical communication receiver. A sampler-based demultiplexer circuit theory is presented and simulated for an optically preamplified direct detection system. For its experimental demonstration, very high-speed Si Schottky diodes are modelled applying the Root-diode model. The flip-chip bonding connections are simulated with the 3-dimensional electro-magnetic simulator and an equivalent c...     »

Auf der Basis von Si-Schottkydioden wurde ein elektronischer Demultiplexer für hochbitratige ETDM (Electronic Time-Domain Multiplexing)-Kanäle untersucht und realisiert. Der Demultiplexer ist für die Anwendung in faseroptischen Empfängern mit optischer Vorverstärkung des Empfangssignals vorgesehen, wobei das optisch verstärkte Empfangssignal, nachdem es im Photodetektor in ein elektrisches Signal umgewandelt wird ohne weitere elektrische Vorverstärkung dem passiven Schottky-Dioden-Demultiplexer zugeführt wird. Für eine Bit rate von 40 Gbit/s wurde ein hybrid integrierter Demultiplexer modelliert, aufgebaut und experimentell untersucht. Die verwendeten Si-Schottkydioden wurden mit Hilfe des Root-Diodenmodells modelliert. Die planare Demultiplexerschaltung wurde unter Einbeziehung der Flip-Chip-Verbindungen mit Hilfe einer dreidimensionalen elektromagnetischen Vollwellenanalyse modelliert. Zur Reduktion von Inter-Symbol-Interferenzen wurde ein Equalizer auf Basis des Zero-Forcing-Algorithmus entworfen und simuliert. Durch Simulation wurde die Realisierbarkeit von Demultiplexern für 80 Gbit/s demonstriert.     «

Auf der Basis von Si-Schottkydioden wurde ein elektronischer Demultiplexer für hochbitratige ETDM (Electronic Time-Domain Multiplexing)-Kanäle untersucht und realisiert. Der Demultiplexer ist für die Anwendung in faseroptischen Empfängern mit optischer Vorverstärkung des Empfangssignals vorgesehen, wobei das optisch verstärkte Empfangssignal, nachdem es im Photodetektor in ein elektrisches Signal umgewandelt wird ohne weitere elektrische Vorverstärkung dem passiven Schottky-Dioden-Demultiplexer...     »