Ternary Zintl phases of the system AxTr/TtyPnz with A = Li-Cs, Tr = Al-In, Tt = Si-Sn and Pn = P-Bi are investigated regarding their electronic structure to find direct band gap compounds. Each compound is classified by its crystal structure and properties of the comprising elements and their influence on the size and nature of the band gap investigated. Further on distinct compound families are investigated in more detail which properties influence the position of valence band maximum and conduction band minimum.     «

Ternary Zintl phases of the system AxTr/TtyPnz with A = Li-Cs, Tr = Al-In, Tt = Si-Sn and Pn = P-Bi are investigated regarding their electronic structure to find direct band gap compounds. Each compound is classified by its crystal structure and properties of the comprising elements and their influence on the size and nature of the band gap investigated. Further on distinct compound families are investigated in more detail which properties influence the position of valence band maximum and condu...     »

Die elektronische Struktur der ternäre Zintl Phasen des Systems AxTr/TtyPnz mit A = Li-Cs, Tr = Al-In, Tt = Si-Sn und Pn = P-Bi wird untersucht um Verbindungen mit direkten Bandlücken zu identifizieren. Dafür werden die Verbindungen nach ihrer Kristallstruktur und Eigenschaften der enthaltenen Elemente klassifiziert und deren Einfluss auf die Art und Größe der Bandlücke untersucht. Des weiteren werden bestimmt Verbindungsklassen im Detail untersucht, welche Faktoren die Lage des Valenzbandmaximums und Leitungsbandminimums beeinflussen.     «

Die elektronische Struktur der ternäre Zintl Phasen des Systems AxTr/TtyPnz mit A = Li-Cs, Tr = Al-In, Tt = Si-Sn und Pn = P-Bi wird untersucht um Verbindungen mit direkten Bandlücken zu identifizieren. Dafür werden die Verbindungen nach ihrer Kristallstruktur und Eigenschaften der enthaltenen Elemente klassifiziert und deren Einfluss auf die Art und Größe der Bandlücke untersucht. Des weiteren werden bestimmt Verbindungsklassen im Detail untersucht, welche Faktoren die Lage des Valenzbandmaxim...     »