Benutzer: Gast  Login

Verfügbare Bildformate

Titel:
Struktur SnIP
Erläuterung:
Atomare Struktur des flexiblen Halbleitermaterials aus den Elementen Zinn, Iod und Phosphor (SnIP), das am Fachgebiet für Synthese und Charakterisierung innovativer Materialien der TU München hergestellt wurde.
Ereignis / Anlass:
Presseinformation vom 12.09.2016
Schlagworte:
Halbleiter; Photovoltaik; Zinn; Iod; Phosphor; eindimensional; Doppelhelix
Fakultät:
Chemie
TUM Einrichtung:
Fachgebiet für Synthese und Charakterisierung innovativer Materialien
TUM Standort:
Garching
Aufnahmezeitpunkt:
12.09.2016
Dokumenttyp:
Foto
Herkunft:
TUM Mitarbeiter
Urheber Bild / Fotograf:
Prof. Dr. Tom Nilges
Nutzungsrecht:
free for reporting about Technical University of Munich
Originaldatei:
/file/1325721/SnIP-Struktur_30x40.jpg