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Dokumenttyp:
Patentanmeldung 
Patentanmeldung Nr.:
US020110310655A1 
Erfinder:
KREUPL FRANZ, DE BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US 
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ, DE BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US 
Titel:
Composition Of Memory Cell With Resistance-Switching Layers 
Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
22.12.2011 
Jahr:
2011 
Sprache:
en 
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme 
Format:
Text