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- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- US 2011204316 (A1)
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ [US]; SEKAR DEEPAK C [US]
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ [US]; SEKAR DEEPAK C [US]
- Titel:
- Structure And Fabrication Method For Resistance-Change Memory Cell In 3-D Memory
- Anmeldeland:
- US
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 25.08.2011
- Jahr:
- 2011
- Sprache:
- de
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX