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Dokumenttyp:
Patentanmeldung 
Patentanmeldung Nr.:
US 2011204316 (A1) 
Erfinder:
KREUPL FRANZ [US]; SEKAR DEEPAK C [US] 
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ [US]; SEKAR DEEPAK C [US] 
Titel:
Structure And Fabrication Method For Resistance-Change Memory Cell In 3-D Memory 
Anmeldeland:
US 
Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
25.08.2011 
Jahr:
2011 
Sprache:
de 
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme 
Format:
Text