Development of radiation hard pixel modules employing planar n-in-p silicon sensors with active edges for the ATLAS detector at HL-LHC

Terzo, Stefano

Stefano Terzo

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Original title:: Development of radiation hard pixel modules employing planar n-in-p silicon sensors with active edges for the ATLAS detector at HL-LHC
Translated title:: Entwicklung stahlenharter Pixelmodule aus planaren n-in-p Siliziumsensoren mit aktiven Randzonen für das ATLAS Experiment am HL-LHC
Author:: Terzo, Stefano
Year:: 2015
Document type:: Dissertation
Faculty/School:: Fakultät für Physik
Advisor:: Bethke, Siegfried (Prof. Dr.)
Referee:: Bethke, Siegfried (Prof. Dr.); Paul, Stephan (Prof. Dr.)
Language:: en
Subject group:: ELT Elektrotechnik; PHY Physik
Keywords:: ATLAS, pixel detectors, ITk, HL-LHC, n-in-p, thin sensors, slim edges, active edges, radiation damage, IBL, 3D sensors
Translated keywords:: ATLAS, Pixeldetektors, ITk, HL-LHC, n-in-p, dünne Sensoren, schmale Randzonen, aktive Randzonen, stahlenharte, IBL, 3D Sensoren
TUM classification:: PHY 406d; ELT 334d
Abstract:: The luminosity upgrade of the LHC will extend the reach for discoveries of new physics and enable more precise measurements of the Standard Model. The properties of planar n-in-p silicon sensors with thicknesses ranging from 100 to 300 µm and employing active or slim edges are investigated to develop radiation hard pixel modules for the ATLAS experiment. Specific studies are presented in view of the future module geometries for the different layers and pseudorapidity regions of the new ATLAS pixel detector. «
The luminosity upgrade of the LHC will extend the reach for discoveries of new physics and enable more precise measurements of the Standard Model. The properties of planar n-in-p silicon sensors with thicknesses ranging from 100 to 300 µm and employing active or slim edges are investigated to develop radiation hard pixel modules for the ATLAS experiment. Specific studies are presented in view of the future module geometries for the different layers and pseudorapidity regions of the new ATLAS pix... »
Translated abstract:: Das Luminositäts-Upgrade des LHC wird das Potential für die Entdeckung Neuer Physik und für Präzisionsvermessungen des Standardmodells immens vergrössern. Die Eigenschaften planarer n-in-p Siliziumsensoren mit einer Dicke von 100 bis 300 µm mit aktiven oder schmalen Randzonen werden untersucht, um stahlungsharte Pixelmodule für das ATLAS Experiment zu entwickeln. Detailierte Studien zu zukünftigen Modulgeometrien für die verschiedenen Schichten und Pseudorapiditätsregionen des neuen ATLAS Pixeldetektors werden vorgestellt. «
Das Luminositäts-Upgrade des LHC wird das Potential für die Entdeckung Neuer Physik und für Präzisionsvermessungen des Standardmodells immens vergrössern. Die Eigenschaften planarer n-in-p Siliziumsensoren mit einer Dicke von 100 bis 300 µm mit aktiven oder schmalen Randzonen werden untersucht, um stahlungsharte Pixelmodule für das ATLAS Experiment zu entwickeln. Detailierte Studien zu zukünftigen Modulgeometrien für die verschiedenen Schichten und Pseudorapiditätsregionen des neuen ATLAS Pixeld... »
WWW:: https://mediatum.ub.tum.de/?id=1276352
Date of submission:: 16.09.2015
Oral examination:: 10.11.2015
File size:: 34210011 bytes
Pages:: 152
Urn (citeable URL):: https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20151110-1276352-1-3
Last change:: 28.12.2015
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