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Original title:
Development of radiation hard pixel modules employing planar n-in-p silicon sensors with active edges for the ATLAS detector at HL-LHC 
Translated title:
Entwicklung stahlenharter Pixelmodule aus planaren n-in-p Siliziumsensoren mit aktiven Randzonen für das ATLAS Experiment am HL-LHC 
Year:
2015 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Advisor:
Bethke, Siegfried (Prof. Dr.) 
Referee:
Bethke, Siegfried (Prof. Dr.); Paul, Stephan (Prof. Dr.) 
Language:
en 
Subject group:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik 
Keywords:
ATLAS, pixel detectors, ITk, HL-LHC, n-in-p, thin sensors, slim edges, active edges, radiation damage, IBL, 3D sensors 
Translated keywords:
ATLAS, Pixeldetektors, ITk, HL-LHC, n-in-p, dünne Sensoren, schmale Randzonen, aktive Randzonen, stahlenharte, IBL, 3D Sensoren 
TUM classification:
PHY 406d; ELT 334d 
Abstract:
The luminosity upgrade of the LHC will extend the reach for discoveries of new physics and enable more precise measurements of the Standard Model. The properties of planar n-in-p silicon sensors with thicknesses ranging from 100 to 300 µm and employing active or slim edges are investigated to develop radiation hard pixel modules for the ATLAS experiment. Specific studies are presented in view of the future module geometries for the different layers and pseudorapidity regions of the new ATLAS pix...    »
 
Translated abstract:
Das Luminositäts-Upgrade des LHC wird das Potential für die Entdeckung Neuer Physik und für Präzisionsvermessungen des Standardmodells immens vergrössern. Die Eigenschaften planarer n-in-p Siliziumsensoren mit einer Dicke von 100 bis 300 µm mit aktiven oder schmalen Randzonen werden untersucht, um stahlungsharte Pixelmodule für das ATLAS Experiment zu entwickeln. Detailierte Studien zu zukünftigen Modulgeometrien für die verschiedenen Schichten und Pseudorapiditätsregionen des neuen ATLAS Pixeld...    »
 
Oral examination:
10.11.2015 
File size:
34210011 bytes 
Pages:
152 
Last change:
28.12.2015