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Originaltitel:
Theorie und Validierung der Modellbildung bipolarer Leistungshalbleiter im Temperaturbereich von 100K bis 400K 
Übersetzter Titel:
Theory and validation for modeling bipolar power semiconductors in the temperature range from 100K to 400K 
Jahr:
2000 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Schröder, Dierk (Prof. Dr. Dr. h.c.) 
Gutachter:
Koch, Frederick (Prof. Ph.D.); Silber, Dieter (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Übersetzte Stichworte:
electron hole scattering; absorption; optical; infrared; validation 
Schlagworte (SWD):
Bipolartransistor; Leistungshalbleiter; Simulation 
TU-Systematik:
ELT 303d 
Kurzfassung:
Theoretische Grundlagen zur temperaturabhängigen Modellbildung bipolarer Leistungshalbleiter wurden untersucht, optimiert und validiert. Basierend auf der neuen Formulierung von Trägerbeweglichkeiten nach Mnatsakanov wurde eine neue Kontinuitätsgleichung zur Beschreibung des bipolaren Stromtransports in schwach dotierten Driftzonen hergeleitet und charakterisiert. Ein vollständiges Leistungsdioden-Modell wurde erstellt. Zur temperaturabhängigen Validierung wurden experimentelle Techniken entwick...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Subject of the dissertation is the investigation of physical modeling bipolar power semiconductor devices (silicon) in the temperature range between 400K and 100K. The main task are the investigation of the validity of adequate transport equations and the elaboration of fundamentals for developing compact network models. The results are also covering modeling fundamentals in general, e.g. device simulations. The static and transient pecularities of bipolar power semiconductors are predominated b...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
09.02.2000 
Dateigröße:
2883174 bytes 
Seiten:
124 
Letzte Änderung:
18.06.2007