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Originaltitel:
Investigations on Current Filaments Limiting the Safe-Operating Area of High-Voltage Trench-Insulated-Gate Bipolar Transistors
Übersetzter Titel:
Untersuchungen zum Einfluss von Stromfilamentierungen auf den sicheren Arbeitsbereich von hochvolt trench-Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode
Autor:
Töchterle, Christopher
Jahr:
2022
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
TUM School of Computation, Information and Technology
Betreuer:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.)
Gutachter:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.); Tornow, Marc (Prof. Dr.); Lutz, Josef (Prof. Dr.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik
TU-Systematik:
ELT 200
Kurzfassung:
Current filaments limiting the safe-operating area of high-voltage trench-insulated-gate bipolar transistors (trench-IGBTs) are investigated in this thesis. Their physical features and their relation to device failure as a function of their geometry was investigated in the course of a self-consistent theoretical numerical analysis. Using the novel approach presented in this thesis, it is possible to obtain results that are in good agreement with experimental data.
Übersetzte Kurzfassung:
In dieser Arbeit wird der Einfluss von Stromfilamenten auf den sicheren Arbeitsbereich von hochvolt trench-Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode untersucht. Die physikalischen Eigenschaften dieser Filamente und deren Beziehung zu einem Ausfall eines solchen Bauteils werden anhand von theoretischen numerischen Verfahren untersucht. Das in dieser Arbeit vorgestellte Verfahren erlaubt es quantitativ richtige Aussagen über den sicheren Arbeitsbereich von IGBTs prädiktiv zu machen.
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1577646
Eingereicht am:
18.11.2020
Mündliche Prüfung:
04.03.2022
Dateigröße:
9471525 bytes
Seiten:
133
Urn (Zitierfähige URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220304-1577646-1-2
Letzte Änderung:
03.02.2023
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