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- Document type:
- Patent
- Patent number:
- DE000010250830B4
- Inventor:
- Graham, Andrew, Hoffmann, Franz, Hönlein, Wolfgang, Kretz, Johannes, Kreupl, Franz, Landgraf, Erhard, Luyken, R. Johannes, Rösner, Wolfgang, Schulz, Thomas, Specht, Michael
- Assignee:
- Graham, Andrew, Hoffmann, Franz, Hönlein, Wolfgang, Kretz, Johannes, Kreupl, Franz, Landgraf, Erhard, Luyken, R. Johannes, Rösner, Wolfgang, Schulz, Thomas, Specht, Michael
- Title:
- Verfahren zum Herstellung eines Schaltkreis-Arrays
- Abstract:
- Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreis-Arrays mit einer Mehrzahl von nebeneinander und/oder übereinander ausgebildeten Feldeffekttransistoren, – bei dem eine erste Verdrahtungsebene mit mehreren Leiterbahnen und einer Mehrzahl von ersten Source-/Drain-Bereichen der Feldeffekttransistoren gebildet wird; – bei dem die erste Verdrahtungsebene planarisiert wird; – bei dem auf der planarisierten ersten Verdrahtungsebene eine erste Isolationsschicht gebildet wird, – bei dem die erste Isolatorsch... »
- Patent office:
- de
- Publication date patent:
- 26.02.2015
- Year:
- 2015
- Language:
- de
- Covered by:
- Scopus
- TUM Institution:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX