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Dokumenttyp:
Patent 
Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
DE000010250830B4 
Erfinder:
Graham, Andrew, Hoffmann, Franz, Hönlein, Wolfgang, Kretz, Johannes, Kreupl, Franz, Landgraf, Erhard, Luyken, R. Johannes, Rösner, Wolfgang, Schulz, Thomas, Specht, Michael 
Patentanmelder:
Graham, Andrew, Hoffmann, Franz, Hönlein, Wolfgang, Kretz, Johannes, Kreupl, Franz, Landgraf, Erhard, Luyken, R. Johannes, Rösner, Wolfgang, Schulz, Thomas, Specht, Michael 
Titel:
Verfahren zum Herstellung eines Schaltkreis-Arrays 
Abstract:
Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreis-Arrays mit einer Mehrzahl von nebeneinander und/oder übereinander ausgebildeten Feldeffekttransistoren, – bei dem eine erste Verdrahtungsebene mit mehreren Leiterbahnen und einer Mehrzahl von ersten Source-/Drain-Bereichen der Feldeffekttransistoren gebildet wird; – bei dem die erste Verdrahtungsebene planarisiert wird; – bei dem auf der planarisierten ersten Verdrahtungsebene eine erste Isolationsschicht gebildet wird, – bei dem die erste Isolatorsch...    »
 
Anmeldeland:
de 
Veröffentlichungsdatum / Patent:
26.02.2015 
Jahr:
2015 
Sprache:
de 
Nachgewiesen in:
Scopus 
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme 
Format:
Text