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- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- KR20130036292 (A)
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ [US]; FU CHU CHEN [US]; NIAN YIBO [CN]
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ [US]; FU CHU CHEN [US]; NIAN YIBO [CN]
- Titel:
- KR MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER
- Anmeldeland:
- KR
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 11.04.2013
- Jahr:
- 2013
- Sprache:
- Sonstige
- Nachgewiesen in:
- Scopus
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX