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Dokumenttyp:
Patentanmeldung 
Patentanmeldung Nr.:
KR20130036292 (A) 
Erfinder:
KREUPL FRANZ [US]; FU CHU CHEN [US]; NIAN YIBO [CN] 
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ [US]; FU CHU CHEN [US]; NIAN YIBO [CN] 
Titel:
KR MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER 
Anmeldeland:
KR 
Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
11.04.2013 
Jahr:
2013 
Sprache:
Sonstige 
Nachgewiesen in:
Scopus 
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme 
Format:
Text