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Dokumenttyp:
Patent 
Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
US 7425487 (B2) 
Erfinder:
KREUPL, FRANZ [DE]; SEIDEL, ROBERT [DE] 
Titel:
Method for Fabricating a Nanoelement Field Effect Transistor with Surrounded Gate Structure 
Anmeldeland:
USA 
Veröffentlichungsdatum / Patent:
12.01.2010 
Jahr:
2010 
Sprache:
de 
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme 
Format:
Text