Integrierte MOS-Transistoren weisen immer dünnere Gateoxide und damit immer höhere Gate-Tunnelströme auf. Dabei sind je nach Betriebszustand unterschiedliche Komponenten dominierend. In Switched-Capacitor-Schaltungen können für verschiedene Strukturen und Betriebszustände unterschiedliche Störungen auftreten. Dies wird an den Beispielen eines Integrierers und eines voll differentiellen Successive Approximation Wandlers gezeigt. Es wird eine Methodik vorgestellt, um den Einfluss von Gate-Tunnelströmen auf Verhaltensebene zu simulieren.
«
Integrierte MOS-Transistoren weisen immer dünnere Gateoxide und damit immer höhere Gate-Tunnelströme auf. Dabei sind je nach Betriebszustand unterschiedliche Komponenten dominierend. In Switched-Capacitor-Schaltungen können für verschiedene Strukturen und Betriebszustände unterschiedliche Störungen auftreten. Dies wird an den Beispielen eines Integrierers und eines voll differentiellen Successive Approximation Wandlers gezeigt. Es wird eine Methodik vorgestellt, um den Einfluss von Gate-Tunnelst...
»