Integrierte MOS-Transistoren weisen immer dünnere Gateoxide und damit immer höhere Gate-Tunnelströme auf. Dabei sind je nach Betriebszustand unterschiedliche Komponenten dominierend. In Switched-Capacitor-Schaltungen können für verschiedene Strukturen und Betriebszustände unterschiedliche Störungen auftreten. Dies wird an den Beispielen eines Integrierers und eines voll differentiellen Successive Approximation Wandlers gezeigt. Es wird eine Methodik vorgestellt, um den Einfluss von Gate-Tunnelströmen auf Verhaltensebene zu simulieren.     «

Integrierte MOS-Transistoren weisen immer dünnere Gateoxide und damit immer höhere Gate-Tunnelströme auf. Dabei sind je nach Betriebszustand unterschiedliche Komponenten dominierend. In Switched-Capacitor-Schaltungen können für verschiedene Strukturen und Betriebszustände unterschiedliche Störungen auftreten. Dies wird an den Beispielen eines Integrierers und eines voll differentiellen Successive Approximation Wandlers gezeigt. Es wird eine Methodik vorgestellt, um den Einfluss von Gate-Tunnelst...     »

Integrated MOS transistors’ gate oxides are getting thinner and thus gate tunneling currents are getting higher. Different components are dominating depending on the operating condition. In Switched Capacitor circuits different disturbances can occur for different structures and operating conditions. This is shown by the examples of an integrator and a fully differential successive approximation converter. A methodology is presented, in order to simulate the impact of gate tunneling currents on behavior level.     «

Integrated MOS transistors’ gate oxides are getting thinner and thus gate tunneling currents are getting higher. Different components are dominating depending on the operating condition. In Switched Capacitor circuits different disturbances can occur for different structures and operating conditions. This is shown by the examples of an integrator and a fully differential successive approximation converter. A methodology is presented, in order to simulate the impact of gate tunneling currents on...     »