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Originaltitel:
Growth and Properties of Low-Dimensional III-V Semiconductor Nanowire Heterostructures 
Übersetzter Titel:
Wachstum und Charakterisierung niedrigdimensionaler Heterostrukturen in III-V Halbleiter Nanodrähten 
Jahr:
2010 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Fontcuberta i Morral, Anna (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Fontcuberta i Morral, Anna (Prof. Dr.); Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Kurzfassung:
In this work, low-dimensional heterostructures based on GaAs nanowires are investigated. The nanowires are synthesized by means of Molecular Beam Epitaxy in a process avoiding the use of external catalyst materials. Growth of axial heterostructures formed by segments of InGaAs material is investigated and the optical properties of such nanowires are studied with micro-photoluminescence spectroscopy. Another type of axial heterostructure characterized by a change in crystal symmetry from cubic z...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
In dieser Arbeit werden auf GaAs Halbleiternanodrähten basierende niedrigdimensionale Heterostrukturen untersucht. Die Synthese der Nanodrähte erfolgt mit Molekularstrahlepitaxie in einem Verfahren ohne externes Katalysatormaterial. Das Wachstum von InGaAs Segmenten in den Nanodrähten wird untersucht und die optischen Eigenschaften der dadurch gebildeten axialen Heterostrukturen mittels Mikrophotolumineszenz-Spektroskopie charakterisiert. Eine weitere statistisch in GaAs Nanodrähten auftretende...    »
 
Letzte Änderung:
28.02.2014