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Originaltitel:
Materials and devices for quantum information processing in Si/SiGe 
Übersetzter Titel:
Si/SiGe basierte Materialen und Bauelemente für die Quanteninformationsverarbeitung 
Jahr:
2010 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Prof. Dr. G. Abstreiter 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Kurzfassung:
This work forms the basis for the realization of quantum-bits in a nuclear spin-free environment in Si/SiGe heterostructures. Two-dimensional electron systems (2DES) in Si/SiGe heterostructures as well as nanostructures based on these 2DES have been fabricated and studied. The development of the required technology and the optimization of the growth process of the 2DES in molecular beam epitaxy (MBE) are an integral part of this thesis. Furthermore, the MBE machine has been extended to offer the...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Diese Arbeit legt die Grundlage für die Realisierung von Quanten-bits in einer kernspinfreien Umgebung in Si/SiGe Heterostrukturen. Dafür wurden zweidimensionale Elektronengase (2DEG) in Si/SiGe Heterostrukturen sowie darauf basierende Nanostrukturen hergestellt und untersucht. Ein Bestandteil der Arbeit war die Entwicklung der dafür benötigten Technologie sowie die Optimierung des Wachstumsprozesses der 2DEG in Molekularstrahlepitaxie (MBE). Weiterhin wurde die MBE Anlage um Möglichkeiten für d...    »
 
Schlagworte:
Silicium ; Germanium ; Heterostruktur ; Molekularstrahlepitaxie 
Letzte Änderung:
25.02.2014