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Originaltitel:
Studies of Radiation Hardness of MOS Devices for Application in a Linear Collider Vertex Detector 
Übersetzter Titel:
Untersuchung an strahlenharte MOS Bauelemente fuer die Anwendung am Vertex Detektor im ILC 
Jahr:
2008 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Moser, Hans-Günther (Dr.) 
Gutachter:
Bethke, Siegfried (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Kurzfassung:
The proposed International Linear Collider (ILC) serves as a tool to explore the mysteries of the universe. The key component of the ILC is the vertex detector that should be placed as close as possible to the Interaction Point and has better radiation tolerance against the dominant background. Since all MOS devices are susceptible to ionizing radiation, the main topic is focused on the radiation hardness of detectors, by which a series of physical processes are analyzed: e.g. surface damage due...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
An einem zukünftigen e-e+ Linearbeschleuniger mit Energien von 0,5 bis 1 TeV sollen viele Fragen zum Standardmodel beantwortet werden. Eine wichtige Komponente am ILC ist ein Vertexdetektor, der strahlungsresistent sein muss. MOS Depleted-Field-Effect Transistor Detektoren (MOSDEPFET) stellen einen der besten Kandidaten für einen Vertexdetektor am ILC dar. Wie alle MOS Strukturen leiden DEPFETs unter Oxidschädigung durch ionisierende Strahlung. Um dies genauer zu untersuchen wurden für diese Arb...    »
 
Mündliche Prüfung:
30.10.2008 
Seiten:
170 
Letzte Änderung:
10.11.2008