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Originaltitel:
Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen Superjunction-Bauelementen 
Übersetzter Titel:
Optimization of Electrical Properties of Lateral Superjunction Devices 
Jahr:
2008 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.); Hansch, Walter (Prof. Dr.) 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Kurzfassung:
Diese Dissertation befasst sich mit dem Design, der Modellierung, der Simulation und der Charakterisierung neuartiger lateraler Hochvolt-Superjunction-Bauelemente mit Anwendungen in Smart-Power-ICs. Zum Zweck eines optimalen Designs, insbesondere zur Vermeidung des parasitären Effektes der Substratverarmung, wie er in lateralen Superjunction-Bauelementen auf Basis der Siliziumtechnologie auftritt, werden zwei unterschiedliche Superjunction-Strukturen mit jeweils optimaler Geometrie und optimalem...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
This dissertation deals with the design, modelling, simulation and characterization of novel high voltage lateral superjunction power MOSFETs intended for applications in smart power integrated circuits. With a view to an optimized design, in particular to avoiding the parasitic effect of “substrate depletion” inherent in the implementation of the lateral superjunction MOSFETs in bulk silicon technology, two different structural designs with optimum device geometry and doping profile are propose...    »
 
Mündliche Prüfung:
28.02.2008 
Seiten:
197 
Letzte Änderung:
22.04.2008