4H-SiC JBS-diodes and PiN-diodes were investigated and characterized under extreme operating conditions. To this end, a high temperature test setup was built, and four different measurement configurations were implemented. Investigations on JBS-diodes demonstrated the bipolar activation as well as their blocking capability in dependence of structural variations of the devices. Measurements on PiN-diodes served to calibrate TCAD-simulation models between 300K and 770K, which describe the impact of carbon vacancies on the electron-hole recombination rates.      «

4H-SiC JBS-diodes and PiN-diodes were investigated and characterized under extreme operating conditions. To this end, a high temperature test setup was built, and four different measurement configurations were implemented. Investigations on JBS-diodes demonstrated the bipolar activation as well as their blocking capability in dependence of structural variations of the devices. Measurements on PiN-diodes served to calibrate TCAD-simulation models between 300K and 770K, which describe the impact o...     »

Es wurden 4H-SiC-JBS-Dioden und PiN-Dioden unter extremen Betriebsbedingungen untersucht und charakterisiert. Hierzu wurde ein Hochtemperatur-Prüfstand aufgebaut, in dem vier verschiedene Messkonfigurationen implementiert sind. Untersuchungen an JBS-Dioden zeigten deren bipolare Aktivierung sowie deren Sperrfähigkeit in Abhängigkeit von strukturellen Variationen der Baulemente. Messungen an PiN-Dioden dienten dazu, TCAD-Simulationsmodelle im Temperaturbereich von 300K bis 770K zu kalibrieren, welche den Einfluß von Kohlenstoff-Leerstellen auf die Elektron-Loch-Rekombinationsraten beschreiben.     «

Es wurden 4H-SiC-JBS-Dioden und PiN-Dioden unter extremen Betriebsbedingungen untersucht und charakterisiert. Hierzu wurde ein Hochtemperatur-Prüfstand aufgebaut, in dem vier verschiedene Messkonfigurationen implementiert sind. Untersuchungen an JBS-Dioden zeigten deren bipolare Aktivierung sowie deren Sperrfähigkeit in Abhängigkeit von strukturellen Variationen der Baulemente. Messungen an PiN-Dioden dienten dazu, TCAD-Simulationsmodelle im Temperaturbereich von 300K bis 770K zu kalibrieren, we...     »