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Originaltitel:
Behaviour of 4H-SiC Power Semiconductor Devices under Extreme Operating Conditions
Übersetzter Titel:
Verhalten von 4H-SiC Leistungshalbleiterbauelementen unter extremen Betriebsbedingungen
Autor:
Lechner, Benedikt
Jahr:
2021
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Betreuer:
Schrag, Gabriele (Prof. Dr.)
Gutachter:
Schrag, Gabriele (Prof. Dr.); Lutz, Josef (Prof. Prof. Dr. h.c.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik
Stichworte:
SiC, Temperature, High power semiconductor, TCAD-Simulation, JBS-diode, PiN-diode
Übersetzte Stichworte:
SiC, Temperature, Leistungshablleiter, TCAD-Simulationen, JBS-Diode, PiN-Diode
TU-Systematik:
ELT 200
Kurzfassung:
4H-SiC JBS-diodes and PiN-diodes were investigated and characterized under extreme operating conditions. To this end, a high temperature test setup was built, and four different measurement configurations were implemented. Investigations on JBS-diodes demonstrated the bipolar activation as well as their blocking capability in dependence of structural variations of the devices. Measurements on PiN-diodes served to calibrate TCAD-simulation models between 300K and 770K, which describe the impact o...     »
Übersetzte Kurzfassung:
Es wurden 4H-SiC-JBS-Dioden und PiN-Dioden unter extremen Betriebsbedingungen untersucht und charakterisiert. Hierzu wurde ein Hochtemperatur-Prüfstand aufgebaut, in dem vier verschiedene Messkonfigurationen implementiert sind. Untersuchungen an JBS-Dioden zeigten deren bipolare Aktivierung sowie deren Sperrfähigkeit in Abhängigkeit von strukturellen Variationen der Baulemente. Messungen an PiN-Dioden dienten dazu, TCAD-Simulationsmodelle im Temperaturbereich von 300K bis 770K zu kalibrieren, we...     »
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1578949
Eingereicht am:
18.11.2020
Mündliche Prüfung:
03.11.2021
Dateigröße:
7276710 bytes
Seiten:
138
Urn (Zitierfähige URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20211103-1578949-1-1
Letzte Änderung:
11.05.2022
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