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Originaltitel:
Surface Dopant Interactions in Ultra-Shallow Junctions 
Übersetzter Titel:
Wechselwirkungen zwischen Dotieratomen und der Oberfläche in ultra-flachen Source-/Drain-Kontakten 
Jahr:
2005 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Koch, Frederick (Prof. Ph.D.); Lindsay, Richard (Ph.D.) 
Gutachter:
Schmitt-Landsiedel, Doris (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Stichworte:
pile-up; CMOS; dopants; ultra-shallow junctions; USJ; interfacial segregation 
Übersetzte Stichworte:
Pile-Up; CMOS; Dotierstoffe; ultra-flache Kontakte; Segregation 
Schlagworte (SWD):
Halbleitergrenzfläche; Dotant; Miniaturisierung 
TU-Systematik:
ELT 290d; PHY 701d 
Kurzfassung:
For the manufacturing of ultra-shallow source/drain junctions in sub-100nm CMOS generations, precise control of the diffusion and activation behavior of the implanted dopants becomes increasingly important. This work focuses on the characterization of the dopant pile-up, a thin layer of extremely high dopant concentration. It is created during an anneal at the silicon-oxide interface. Results from Elastic Recoil Detection (ERD) and Rutherford Back Scattering (RBS) together with Secondary Ion Mas...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Für die Herstellung von ultra-flachen Dotierschichten für Source- und Drain-Kontakte in CMOS-Technologien unter 100nm ist eine präzise Kontrolle des Diffusions- und Aktivierungsverhaltens der Dotieratome in zunehmendem Maße wichtig. Während des Anneals bildet sich an der Grenze zwischen Silizium und Oxid eine Schicht mit extrem hoher Dotierstoffkonzentration, der sog. Pile-Up. Im Rahmen dieser Arbeit wurde der Pile-Up mit Hilfe von ERD (Elastic Recoil Detection), RBS (Rutherford Back Scattering)...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der Technischen Universität München 
Mündliche Prüfung:
06.09.2005 
Dateigröße:
2007558 bytes 
Seiten:
176 
Letzte Änderung:
08.04.2008