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Originaltitel:
Optoelectronic Properties of Defects in Diamond and AlGaN Alloys 
Übersetzter Titel:
Optoelektronische Eigenschaften von Defekten in Diamant und AlGaN-Legierungen 
Jahr:
2001 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.); Gross, Rudolf (Prof. Dr.); Koch, Frederik (Prof. Ph.D.) 
Format:
Text 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Stichworte:
diamond; AlN; GaN; defects; DLTS; photoconductivity; DX; implantation 
Übersetzte Stichworte:
Diamant; AlN; GaN; Defekte; DLTS; Photoleitung; DX; Implantation; 
Schlagworte (SWD):
Diamant; Gitterbaufehler; Aluminiumnitrid; Galliumnitrid; Mischkristall 
TU-Systematik:
PHY 693d; PHY 621d 
Übersetzte Kurzfassung:
Die Dotiereigenschaften von Bor und Lithium in Diamant wurden mittels Kapazitäts- Spannungsmessungen und spektral aufgelöster Photoleitung charakterisiert. Zusätzlich wurde eine Passivierung von Bor-Akzeptoren durch Wasserstoff nachgewiesen und das thermische Aufbrechen der B-H-Bindungen untersucht. Mittels transienter Kapazitätsspektroskopie wurde ein implantationsinduzierter Defekt in Diamant 1.28 eV über dem Valenzband nachgewiesen und sein Ausheilverhalten studiert. Durch spektral aufgelöste...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
16.05.2001 
Dateigröße:
1244038 bytes 
Seiten:
152 
Letzte Änderung:
25.07.2007