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Originaltitel:
Physikalische Modellbildung von IGCTs für die Schaltungssimulation 
Übersetzter Titel:
Physical Modelling of IGCTs for Circuit Simulation 
Jahr:
2002 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Schröder, Dierk (Prof. Dr. Dr. h.c.) 
Gutachter:
Marquardt, Rainer (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
Leistungselektronik; Physikalische Modellbildung; IGCT; GTO; Leistungsdiode; Modell; Schaltungsimulation; Serienschaltung; Aktive Ansteuerung 
Übersetzte Stichworte:
Power Electronics; Physical Modelling; IGCT; GTO; Power Diode; Model; Circuit Simulation; Active Gate Drive 
Schlagworte (SWD):
Leistungshyristor; Modell; Simulation; Thyristorsteuerung 
TU-Systematik:
ELT 303d; ELT 318d 
Kurzfassung:
Die vorliegende Arbeit befaßt sich mit einem Modell für den Integrated Gate Commutated Transistor (IGCT), das zur rechnergestützten Schaltungssimulation verwendet werden kann. Dabei steht das dynamischer Verhalten dieses Leistungsschalters im Vordergrund. Aufgrund bestimmter physikalischer Eigenschaften bipolarer Leistungshalbleiterbauelemente kann auf eine physikalisch basierte Modellbeschreibung nicht verzichtet werden. Die Simulationsergebnisse, die mit dem vorgestellten Modell durchgeführt w...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
The thesis presented here deals with a model for the Integrated Gate Commutated Transistor (IGCT), which can be used for circuit simulation. The main interest focusses on the dynamic behaviour of this power electronic device. According to the physical characteristics of bipolar power devices, it is necessary to choose a mathematical approach which is based on semiconductor physics. Calculations performed with the model presented here, show a good agreement with corresponding experimental results...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
29.07.2002 
Dateigröße:
5291861 bytes 
Seiten:
205 
Letzte Änderung:
19.06.2007