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Original title:
Physikalische Modellbildung von IGCTs für die Schaltungssimulation 
Translated title:
Physical Modelling of IGCTs for Circuit Simulation 
Year:
2002 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Advisor:
Schröder, Dierk (Prof. Dr. Dr. h.c.) 
Referee:
Marquardt, Rainer (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Language:
de 
Subject group:
ELT Elektrotechnik 
Keywords:
Leistungselektronik; Physikalische Modellbildung; IGCT; GTO; Leistungsdiode; Modell; Schaltungsimulation; Serienschaltung; Aktive Ansteuerung 
Translated keywords:
Power Electronics; Physical Modelling; IGCT; GTO; Power Diode; Model; Circuit Simulation; Active Gate Drive 
Controlled terms:
Leistungshyristor; Modell; Simulation; Thyristorsteuerung 
TUM classification:
ELT 303d; ELT 318d 
Abstract:
Die vorliegende Arbeit befaßt sich mit einem Modell für den Integrated Gate Commutated Transistor (IGCT), das zur rechnergestützten Schaltungssimulation verwendet werden kann. Dabei steht das dynamischer Verhalten dieses Leistungsschalters im Vordergrund. Aufgrund bestimmter physikalischer Eigenschaften bipolarer Leistungshalbleiterbauelemente kann auf eine physikalisch basierte Modellbeschreibung nicht verzichtet werden. Die Simulationsergebnisse, die mit dem vorgestellten Modell durchgeführt w...    »
 
Translated abstract:
The thesis presented here deals with a model for the Integrated Gate Commutated Transistor (IGCT), which can be used for circuit simulation. The main interest focusses on the dynamic behaviour of this power electronic device. According to the physical characteristics of bipolar power devices, it is necessary to choose a mathematical approach which is based on semiconductor physics. Calculations performed with the model presented here, show a good agreement with corresponding experimental results...    »
 
Publication :
Universitätsbibliothek der TU München 
Oral examination:
29.07.2002 
File size:
5291861 bytes 
Pages:
205 
Last change:
19.06.2007