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Original title:
Oberwellenbetrieb von GaAs-Lawinenlaufzeitdioden im Millimeterwellenbereich 
Translated title:
Harmonic Mode Operation of GaAs-Transit Time Diodes in the Millimetre Range 
Year:
2001 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Advisor:
Claassen, Meinhard (Prof. Dr. Dr. habil.) 
Referee:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.); Detlefsen, Jürgen (Prof. Dr. Dr. habil.) 
Format:
Text 
Language:
de 
Subject group:
ELT Elektrotechnik 
Keywords:
Oberwellenbetrieb; IMPATT-Diode; Optimierung; Herstellung; experimentelle Ergebnisse 
Translated keywords:
harmonic mode operation; IMPATT diode; optimization; realization; experimental results 
Controlled terms:
Impatt-Diode; Galliumarsenid-Bauelement; Mikrowellenresonator; Oberschwingung 
TUM classification:
ELT 312d; ELT 495d 
Abstract:
Die Arbeit beschäftigt sich mit der theoretischen Beschreibung, der Dimensionierung, der technologischen Realisierung und der messtechnischen Charakterisierung von GaAs-Lawinenlaufzeitdioden im Oberwellenbetrieb für das Y-Band (170 GHz - 260 GHz). Die Struktur der GaAs-Read-Doppeldrift Diode wurde mit einem Großsignal-Modell optimiert und in einer Molekularstrahl-Epitaxie Anlage realisiert. Mit einem parasitätsarmen Einbau des aktiven Bauelementes in einen Hohlleiter-Scheiben-Resonator sind im D...    »
 
Translated abstract:
Theoretical investigation of GaAs-transit-time diodes in harmonic mode operation as well as optimization, realization, and characterization of the measured results were carried out in the frequency range of 170 GHz – 260 GHz (Y-band). A GaAs double-drift Read type diode structure was optimized by a large signal model fabricated by a molecular beam epitaxy apparatus and encapsulated by an extremely low parasitic mounting technique in a D-band disc resonator. Experimentally, cw-output power of 40...    »
 
Publication :
Universitätsbibliothek der TU München 
Oral examination:
19.06.2001 
File size:
1593333 bytes 
Pages:
95 
Last change:
19.06.2007