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Originaltitel:
Oberwellenbetrieb von GaAs-Lawinenlaufzeitdioden im Millimeterwellenbereich 
Übersetzter Titel:
Harmonic Mode Operation of GaAs-Transit Time Diodes in the Millimetre Range 
Jahr:
2001 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Claassen, Meinhard (Prof. Dr. Dr. habil.) 
Gutachter:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.); Detlefsen, Jürgen (Prof. Dr. Dr. habil.) 
Format:
Text 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
Oberwellenbetrieb; IMPATT-Diode; Optimierung; Herstellung; experimentelle Ergebnisse 
Übersetzte Stichworte:
harmonic mode operation; IMPATT diode; optimization; realization; experimental results 
Schlagworte (SWD):
Impatt-Diode; Galliumarsenid-Bauelement; Mikrowellenresonator; Oberschwingung 
TU-Systematik:
ELT 312d; ELT 495d 
Kurzfassung:
Die Arbeit beschäftigt sich mit der theoretischen Beschreibung, der Dimensionierung, der technologischen Realisierung und der messtechnischen Charakterisierung von GaAs-Lawinenlaufzeitdioden im Oberwellenbetrieb für das Y-Band (170 GHz - 260 GHz). Die Struktur der GaAs-Read-Doppeldrift Diode wurde mit einem Großsignal-Modell optimiert und in einer Molekularstrahl-Epitaxie Anlage realisiert. Mit einem parasitätsarmen Einbau des aktiven Bauelementes in einen Hohlleiter-Scheiben-Resonator sind im D...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Theoretical investigation of GaAs-transit-time diodes in harmonic mode operation as well as optimization, realization, and characterization of the measured results were carried out in the frequency range of 170 GHz – 260 GHz (Y-band). A GaAs double-drift Read type diode structure was optimized by a large signal model fabricated by a molecular beam epitaxy apparatus and encapsulated by an extremely low parasitic mounting technique in a D-band disc resonator. Experimentally, cw-output power of 40...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
19.06.2001 
Dateigröße:
1593333 bytes 
Seiten:
95 
Letzte Änderung:
19.06.2007