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Originaltitel:
Modeling and Simulation of Wide Bandgap Semiconductor Devices 
Originaluntertitel:
4H/6H-SiC 
Jahr:
2000 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.); Claassen, Meinhard (Prof. Dr. Dr. habil) 
Format:
Text 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik 
Stichworte:
SiC; 4H-SiC; 6H-SiC; Numerical Simulation; wide bandgap semiconductor; diamond; GaN; DLTS; Thermal Admittance Spectroscopy; power electronics; JFET; Schottky Diode; PN Diode; Anisotropy; Material Parameters; Incomplete Ionization; Incomplete Ionisation; Dynamic Ionization; Punch-Through; Ionization Energy; Capture Cross Section; Aluminum; Boron; Nitrogen; Emission Coefficients; Quasi-static Approximation 
Schlagworte (SWD):
Siliciumcarbid; Elektronisches Bauelement; Numerisches Verfahren 
TU-Systematik:
PHY 694d; ELT 072d; ELT 300d 
Kurzfassung:
State-of-the-art silicon carbide (SiC) devices have matured to powerful prototypes demonstrating the promising properties of SiC as basic material for high-power, high-temperature, and high-frequency applications. Apart from further technological progress in this field, numerical simulations based on accurate device models are more and more required for design and optimization of SiC devices. In this work, an extended electrothermal drift-diffusion model formulated within the framework of phenom...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Siliziumkarbid (SiC) besitzt als Ausgangsmaterial für Halbleiterbauelemente vielversprechende Eigenschaften für Anwendungen in der Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzelektronik. In dieser Arbeit wird die numerische Simulation von 4H- und 6H-SiC auf der Basis eines erweiterten Drift-Diffusionsmodells vorgestellt. Sie umfasst die Zusammenstellung eines konsistenten Materialparametersatzes, die Messung der Ionisationszeitkonstanten von Stickstoff, Aluminium und Bor mit DLTS und thermis...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
11.10.2000 
Dateigröße:
4410071 bytes 
Seiten:
163 
Letzte Änderung:
18.06.2007