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Originaltitel:
New composite material based on silsesquioxane polymers and nanoporous particles for low-k dielectric application 
Übersetzter Titel:
Neue Composit-Materialien basiert auf Silsesquioxan Polymere und nanoporöse Partikeln für low-k Dielektrika Anwendung 
Jahr:
2004 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Chemie 
Betreuer:
Lercher, Johannes A. (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Lercher, Johannes A. (Prof. Dr.); Veprek, Stan (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
CHE Chemie; ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
low-k dielectric; composite; silscsquioxane polymers; nanoparticels 
Schlagworte (SWD):
Mikroelektronik; Dielektrikum ; Verbundwerkstoff; Silsesquioxane; Polymeres Netzwerk; Nanopartikel 
TU-Systematik:
ELT 075d; CHE 634d; CHE 760d; CHE 380d; CHE 713d 
Kurzfassung:
The SiO2 interlayer dielectric is being replaced by new low k spin-on or vapour-deposited silicate or organic materials. Important synthetic goals are the controlled catalytic hydrosilylation of H8Si8O12, T8H, (HSiMe2O)8Si8O12, Q8M8H with 1,5-hexadiene and hydrolytic condensation of monomers. The result of dielectric measurement showed that the dielectric constant ê of the polymer films was between 2.1 - 2.7, which was low compared to literature data, where values in the range of 3.0-3.7 are typ...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
In der Mikroelektronik sind Kombinationen von Kupfer als Material für die elektrischenLeiterbahnen und Isoliermaterialien mit ultra niedriger Dielektrizitätskonstante k derzeit dieeinzige Alternative um das derzeit für Interconnect-Strukturen genutzte Al/SiO2 System zu ersetzen. Als potentielle Kandidaten für die Herstellung neuartiger Isolatormaterialien kommen insbesondere Silsesquioxane in Frage. Methodisch basiert unser Ansatz auf der Verwendung substituierter Silsesquioxane R8Si8O12; die d...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
28.07.2004 
Dateigröße:
9569252 bytes 
Seiten:
112 
Letzte Änderung:
13.06.2007