Electronic Structure and Optoelectronic Properties of Bismuth Oxyiodide Robust against Percent‐Level Iodine‐, Oxygen‐, and Bismuth‐Related Surface Defects

Benutzer: Gast

Dokumenttyp:: Zeitschriftenaufsatz
Autor(en):: Huq, Tahmida N.; Lee, Lana C.; Eyre, Lissa; Li, Weiwei; Jagt, Robert A.; Kim, Chaewon; Fearn, Sarah; Pecunia, Vincenzo; Deschler, Felix; MacManus‐Driscoll, Judith L.; Hoye, Robert L. Z.
Titel:: Electronic Structure and Optoelectronic Properties of Bismuth Oxyiodide Robust against Percent‐Level Iodine‐, Oxygen‐, and Bismuth‐Related Surface Defects
Zeitschriftentitel:: Advanced Functional Materials
Jahr:: 2020
Band / Volume:: 30
Heft / Issue:: 13
Seitenangaben Beitrag:: 1909983
Volltext / DOI:: doi:10.1002/adfm.201909983
Verlag / Institution:: Wiley
E-ISSN:: 1616-301X1616-3028
Publikationsdatum:: 01.03.2020
BibTeX

Vorkommen: