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Original title:
GaAs-based nanowire lasers on silicon - growth and optical investigations 
Translated title:
GaAs-basierte Nanodrahtlaser auf Silizium - Wachstum und optische Charakterisierung 
Year:
2019 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Advisor:
Koblmüller, Gregor (Priv.-Doz. Dr.) 
Referee:
Koblmüller, Gregor (Priv.-Doz. Dr.); Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Language:
en 
Subject group:
PHY Physik 
TUM classification:
PHY 685d 
Abstract:
Chip-scale integrated light sources have the potential to replace electronic components by photonic devices. In this thesis, we demonstrate GaAs-based semiconductor nanowires (NWs) monolithically grown on silicon ridge waveguides (WG) on a silicon-on-insulator platform and successful coupling of the lasing mode to the proximal WG. In addition, we prove tunability of the lasing mode by epitaxial gain control. For this, the material composition in radial quantum wells is varied and corresponding e...    »
 
Translated abstract:
In Mikrochips integrierte Lichtquellen haben das Potential elektronische durch photonische Komponenten zu ersetzen. Diese Arbeit behandelt GaAs-basierte Halbleiternanodrähte, monolithisch integriert auf Siliziumstegwellenleiter auf einer Silizium-auf-einem-Isolator Plattform. Hierbei wird die erfolgreiche Kopplung der Lasingmode in den Wellenleiter gezeigt. Des Weiteren, wird die Durchstimmbarkeit der Lasingwellenlänge durch Variation der Materialzusammensetzung in radialen Quantentöpfen demonst...    »
 
Series:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie 
Series volume:
220 
ISBN:
978-3-946379-20-1 
Oral examination:
18.02.2019 
Last change:
17.06.2019