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Originaltitel:
Photonic Crystal-Based Scalable Quantum Nanostructures 
Übersetzter Titel:
Photonische Kristall-Basierte Skalierbare Quanten-Nanostrukturen 
Jahr:
2018 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Finley, Jonathan J. (Prof., Ph.D.) 
Gutachter:
Finley, Jonathan J. (Prof., Ph.D.); Pfleiderer, Christian (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik; TEC Technik, Ingenieurwissenschaften (allgemein) 
Stichworte:
Photonic Crystals, Quantum Dots, Waveguides, Cavities, Disorder, Slow Light, GaAs, Nanostructures, Semiconductors, Integrated Photonic Circuits, Fabrication 
Übersetzte Stichworte:
Photonische Kristalle, Quantenpunkte, Wellenleiter, Kavitäten, Unordnung, Langsames Licht, GaAs, Nanostrukturen, Halbleiter, Inegrierte Phonische Schaltkreise, Fabrikation 
Kurzfassung:
This thesis investigates GaAs photonic crystal nanostructures, such as cavities and waveguides with incorporated InGaAs quantum dots. We study weak light matter interaction in photonic crystal waveguides, disorder effects on slow light, transfer of cavity-pumped quantum dot emission into a proximal waveguide, and the control of photon tunnelling in a pair of two L3 point defects. Moreover, the thesis contains the development of a sophisticated fabrication process to reproducibly fabricate active...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Diese Doktorarbeit untersucht GaAs photonische Kristall-Nanostrukturen wie Kavitäten und Wellenleiter mit eingebetteten InGaAs Quantenpunkten. Wir untersuchen schwache Licht-Materie Wechselwirkung in photonischen Kristall-Wellenleitern, den Einfluss von Unordnung auf langsames Licht, den Transfer von Kavität-gepumpter Quantenpunktemission in einen nahegelegenen Wellenleiter und die Kontrolle der Photon-Tunnelrate in einem Pärchen aus zwei L3 Punktdefekten. Zusätzlich enthält diese Arbeit die Ent...    »
 
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie 
Bandnummer:
212 
ISBN:
978-3-946379-12-6 
Mündliche Prüfung:
21.02.2018 
Letzte Änderung:
12.04.2018