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Originaltitel:
Electronic Processes at the GaN Surface 
Übersetzter Titel:
Elektronische Prozesse an der GaN Oberfläche 
Jahr:
2017 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.); Krischer, Katharina (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik 
TU-Systematik:
PHY 685d; ELT 300d 
Kurzfassung:
The electronic charge transfer processes across the GaN surface have been investigated in this work by combining conductance and contact potential measurements. In particular, we have probed the role of localized shallow defect states in the kinetics of photo-generated charges. We found that these states are responsible for the trapping of photo-generated electrons in the space charge region close to the surface, which explains the slow response of the PC to illumination. We also evaluated the i...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Gegenstand dieser Arbeit ist die Untersuchung von elektronischen Ladungstransferprozessen an der Galliumnitrid (GaN)-Oberfläche mittels Photoleitung und Kontaktpotential-Messungen. Dabei führen lokalisierte flache Defektzustände nahe der bzw. direkt auf der GaN-Oberfläche zu einer sehr langsamen Rekombinations- Kinetik der photogenerierten Ladungsträger. Darüber hinaus wird der Einfluss dieser Defektzustände auf den Ladungstransfer an der GaN/Elektrolyt Grenzfläche mittels elektrochemischer Meth...    »
 
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie 
Bandnummer:
204 
ISBN:
978-3-946379-04-1 
Mündliche Prüfung:
22.03.2017 
Letzte Änderung:
29.06.2017