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Titel:
Halbleitermaterial mit Doppelhelix-Struktur - Elektronenmikroskopische Aufnahme 
Erläuterung:
Elektronenmikroskopische Aufnahme von Fasern des flexiblen Halbleitermaterials aus Zinn, Iod und Phosphor (SnIP) mit Doppelhelix-Struktur, das im Fachgebiet für Synthese und Charakterisierung innovativer Materialien der TU München hergestellt wurde. 
Ereignis / Anlass:
Presseinformation vom 12.09.2016 
Schlagworte:
Halbleiter; Photovoltaik; Zinn; Iod; Phosphor; eindimensional; Doppelhelix; flexibel 
Fakultät:
Chemie 
TUM Einrichtung:
Fachgebiet für Synthese und Charakterisierung innovativer Materialien 
TUM Standort:
Garching 
Aufnahmezeitpunkt:
04.08.2016 
Dokumenttyp:
Foto 
Herkunft:
extern 
Herkunft / Quelle:
MPI fuer Festkoeperforschung, Stuttgart 
Urheber Bild / Fotograf:
Viola Duppel / MPI fuer Festkoeperforschung, Stuttgart 
Nutzungsrecht:
free for reporting about Technical University of Munich