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Originaltitel:
Growth and Characterization of InGaAs based Nanowire-Heterostructures 
Übersetzter Titel:
Wachstum und Charakterisierung von InGaAs-basierten Nanodraht-Heterostrukturen 
Jahr:
2017 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Finley, Jonathan J. (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Finley, Jonathan J. (Prof. Dr.); Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik; TEC Technik, Ingenieurwissenschaften (allgemein) 
Stichworte:
nanowire, epitaxy, solar cell, III-V, InGaAs, core-shell, heterostructure 
Übersetzte Stichworte:
Nanodraht, Epitaxie, Solar Zelle, III-V, InGaAs 
TU-Systematik:
TEC 030d; PHY 685d; ELT 300d 
Kurzfassung:
This thesis investigates InGaAs-based nanowire heterostructures, directly integrated on silicon by molecular beam epitaxy. Systematically optimizing the growth parameter space yields highly periodic arrays with excellent morphology and large composition tunability. The impact of their considerable surface is studied in detail and its detrimental influence minimized by radial passivation with different materials. Finally, fabrication of first working solar-cell prototypes from such core-shell str...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Diese Arbeit behandelt das Wachstum von auf Silizium integrierten InGaAs-basierten Nanodrahtstrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie. Systematische Optimierung der Parameter erlaubt die Herstellung von periodisch angeordneten Strukturen mit ausgezeichneter Morphologie und weiter Abstimmbarkeit der Zusammensetzung. Der Einfluss der Oberfläche wird nach eingehender Untersuchung ihrer Auswirkungen durch Passivierung deutlich verringert. Damit hergestellte, funktionsfähige Solar-Zellen schaffen di...    »
 
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie 
Bandnummer:
201 
ISBN:
978-3-946379-01-0 
Mündliche Prüfung:
06.02.2017 
Letzte Änderung:
31.05.2017