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Originaltitel:
Modeling and Simulation of InAs Nanowire Transistors 
Übersetzter Titel:
Modellierung und Simulation von InAs Nanodrähte Transistoren 
Jahr:
2015 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.) 
Gutachter:
Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.); Goodnick, Stephen (Prof., Ph.D.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
TU-Systematik:
TEC 030d 
Kurzfassung:
In this work, we have investigated the electron transport, frequency response and optoelectronic properties of state-of-the-art single InAs nanowire field effect transistors, using both a full-band Monte Carlo simulator and an advanced hydrodynamic simulator. We perform a detailed high-frequency analysis, calibrating our simulations with experimental measurements that are successfully reproduced. We are thus able to make predictions about the HF performance and via a small signal analysis we det...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
In dieser Arbeit haben wir den Elektronentransport, Frequenzantwort und optoelektronische Eigenschaften von InAs Nanodraht- Feldeffekt-Transistoren untersucht , wobei sowohl ein Vollband Monte-Carlo- Simulator als auch ein erweiterter hydrodynamischer Simulator benutzt wurden. Wir führen eine genaue Hochfrequenzanalyse und Kalibrierung unserer Simulationen mit experimentellen Messungen , die erfolgreich reproduziert werden. Damit sind wir in der Lage, Vorhersagen über die HF- Leistung zu machen...    »
 
Mündliche Prüfung:
13.10.2015 
Dateigröße:
18034204 bytes 
Seiten:
187 
Letzte Änderung:
11.11.2015