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Originaltitel:
Power Efficient and Robust Sense Amplifiers for Embedded Non-Volatile Memories in High-Speed Microcontrollers for Automotive Applications 
Übersetzter Titel:
Leistungseffiziente, robuste Ausleseverstärker für eingebettete nichtflüchtige Speicher in Mikrocontrollern für Automobilanwendungen 
Jahr:
2014 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Schmitt-Landsiedel, Doris (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Schmitt-Landsiedel, Doris (Prof. Dr.); Klar, Heinrich (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Kurzfassung:
A novel circuit concept is introduced using bitline-capacitance-cancellation, enabling higher memory density under low power and high speed read operation in an embedded Flash module. Future trends in memory technology are addressed by a second new circuit exploiting a time-differential approach developed to provide higher read yield and robustness for STT-MRAM. All newly developed circuits are compared to state-of-the-art approaches by analysis and measurements showing the considerable improvem...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Eine neue Ausleseschaltung wurde entwickelt, die eine Reduktion der effektiven Bitleitungskapazität bewirkt, und höhere Speicherdichten beim niedrigen Leistungsverbrauch für schnelles Lesen in eingebetteten Flash-Speichern ermöglicht. Ein neues zeit-differentielles Ausleseverfahren ermöglicht eine höhere Leseausbeute und Robustheit in STT-MRAM Speichern. Alle neuen Schaltungen werden anhand von Simulation und Messungen mit dem aktuellen Stand der Technik verglichen, wobei sich deutliche Verbesse...    »
 
Mündliche Prüfung:
13.11.2014 
Dateigröße:
5195585 bytes 
Seiten:
123 
Letzte Änderung:
05.12.2014