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Originaltitel:
Nitride Nanowire Heterostructures 
Übersetzter Titel:
Nanodrähte aus Gruppe III-Nitrid-Halbleitern 
Jahr:
2013 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.); Eickhoff, Martin (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Stichworte:
GaN, AlGaN, InGaN, nanowire, nanorod, nanodisk, molecular beam epitaxy, MBE 
Übersetzte Stichworte:
GaN, AlGaN, InGaN, Nanodrähte, Molekularstrahlepitaxie, MBE 
Kurzfassung:
Scope of this work is the growth and characterization of group III-nitride nanostructures. GaN Nanowires (NWs) and AlGaN/GaN NW heterostructures with thin inclusions (nanodisks) of GaN or InGaN were grown by molecular beam epitaxy (MBE) and analyzed with respect to their morphology by scanning and transmission electron microscopy. Their optical properties were investigated by photoluminescence spectroscopy. The influence of doping with Si and Mg was studied in detail. Additionally, electrical me...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Inhalt dieser Arbeit ist das Wachstum und die Charakterisierung von Nanostrukturen aus Gruppe III-Nitridhalbleitern. GaN Nanodrähte (NWs) und AlGaN/GaN NW-Heterostrukturen mit gezielten Einschlüssen von GaN oder InGaN wurden mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) hergestellt und durch Raster- und Transmissions-Elektronenmikroskopie sowie durch Photolumineszenz-Spektroskopie untersucht. Der Einfluss der Dotierstoffe Si und Mg wurde auf gleiche Weise analysiert. Zusätzlich wurden elektrische Messun...    »
 
Mündliche Prüfung:
12.12.2013 
Dateigröße:
12449707 bytes 
Seiten:
175 
Letzte Änderung:
03.03.2014