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Original title:
(AlGaIn)(AsPSb)-basierte Heterostrukturen für Lichtemission im Bereich von 1.3-3.5µm 
Translated title:
(AlGaIn)(AsPSb)-based heterostructures for light emission in the range of 1.3-3.5µm 
Year:
2014 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Advisor:
Amann, Markus-Christian (Prof. Dr.) 
Referee:
Amann, Markus-Christian (Prof. Dr.); Finley, Jonathan J. (Prof., Ph.D.) 
Language:
de 
Subject group:
PHY Physik 
Keywords:
Halbleiterphysik, Laserdiode, InP-basiert 
Translated keywords:
Semiconductor physics, laser diode, InP-based 
Abstract:
In dieser Arbeit wurden (AlGaIn)(AsPSb)-basierte Heterostrukturen mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) kristallin auf InP-Substraten abgeschieden, strukturell, elektrisch und optisch charakterisiert und in oberflächenemittierende Laser- (VCSEL) bzw. Leuchtdioden (RC-LED) implementiert, so dass eine elektrisch gepumpte Emission im Wellenlängenbereich von 1.3-3.5 µm demonstriert werden konnte. Diese kompakten Bauelemente sind aufgrund ihrer Energieeffizienz für Glasfaser-Datenübertr...    »
 
Translated abstract:
In this work, (AlGaIn)(AsPSb)-based heterostructures were crystalline grown on InP substrates by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE). To demonstrate electrically pumped emission in the wavelength range from 1.3 µm to 3.5 µm, these structures are implemented into Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSEL) and Resonant-Cavity Light Emitting Diodes (RC-LED). Compact and inexpensive to produce, these devices offer the most power-efficient performance for applications like fiber-based data...    »
 
Series:
Selected topics of semiconductor physics and technology 
Series volume:
180 
ISBN:
978-3-941650-80-0 
Oral examination:
18.07.2014 
Last change:
17.09.2014