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Original title:
Growth and Properties of In(Ga)As Nanowires on Silicon 
Translated title:
Wachstum und Eigenschaften von In(Ga)As Nanodrähten auf Silizium 
Year:
2012 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Advisor:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.) 
Referee:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.); Barth, Johannes (Prof. Dr.) 
Language:
en 
Subject group:
PHY Physik 
Abstract:
In this thesis the growth of catalyst-free In(Ga)As nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy was investigated. In particular, two growth strategies were developed, i.e., a self-assembled (spatially unordered) nanowire growth on SiOx/Si(111) and site-selective growth (spatially ordered nanowires) on lithographically patterned SiO2/Si(111). The nanowire growth parameter window with respect to growth temperature and flux rates was investigated and the high temperature thermal stability of InA...    »
 
Translated abstract:
In dieser Arbeit wurde das Wachstum von katalysatorfreien In(Ga)As Nanodrähten auf Si(111) untersucht, die mit Molekularstrahlepitaxie gewachsen worden sind. Es wurden insbesondere zwei Wachstumsstrategien entwickelt, d.h. selbstorganisiertes (räumlich ungeordnetes) Nanodrahtwachstum auf SiOx/Si(111) und ortsselektives (räumlich geordnetes) Wachstum auf lithographisch strukturiertem SiO2/Si(111). Das Parameterfenster für Nanodrahtwachstum wurde hinsichtlich Wachstumstemperatur und Flussraten unt...    »
 
Oral examination:
31.08.2012 
File size:
21488336 bytes 
Pages:
164 
Last change:
25.01.2013