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Originaltitel:
Growth and Properties of In(Ga)As Nanowires on Silicon 
Übersetzter Titel:
Wachstum und Eigenschaften von In(Ga)As Nanodrähten auf Silizium 
Jahr:
2012 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.); Barth, Johannes (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Kurzfassung:
In this thesis the growth of catalyst-free In(Ga)As nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy was investigated. In particular, two growth strategies were developed, i.e., a self-assembled (spatially unordered) nanowire growth on SiOx/Si(111) and site-selective growth (spatially ordered nanowires) on lithographically patterned SiO2/Si(111). The nanowire growth parameter window with respect to growth temperature and flux rates was investigated and the high temperature thermal stability of InA...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
In dieser Arbeit wurde das Wachstum von katalysatorfreien In(Ga)As Nanodrähten auf Si(111) untersucht, die mit Molekularstrahlepitaxie gewachsen worden sind. Es wurden insbesondere zwei Wachstumsstrategien entwickelt, d.h. selbstorganisiertes (räumlich ungeordnetes) Nanodrahtwachstum auf SiOx/Si(111) und ortsselektives (räumlich geordnetes) Wachstum auf lithographisch strukturiertem SiO2/Si(111). Das Parameterfenster für Nanodrahtwachstum wurde hinsichtlich Wachstumstemperatur und Flussraten unt...    »
 
Mündliche Prüfung:
31.08.2012 
Dateigröße:
21488336 bytes 
Seiten:
164 
Letzte Änderung:
25.01.2013