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- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- TW 201209824 A
- Erfinder:
- FU CHU-CHEN, US KREUPL FRANZ, DE NIAN YI-BO, CN
- Patentanmelder:
- FU CHU-CHEN, US KREUPL FRANZ, DE NIAN YI-BO, CN
- Titel:
- TW 201209824 A Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer
- Anmeldeland:
- TW
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 01.03.2012
- Jahr:
- 2012
- Sprache:
- Sonstige
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX