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Originaltitel:
Modeling of semiconductor nanostructures and semiconductor–electrolyte interfaces 
Übersetzter Titel:
Modellierung von Halbleiternanostrukturen und Halbleiter–Elektrolytgrenzflächen 
Jahr:
2011 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Vogl, Peter (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Vogl, Peter (Prof. Dr.); Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Stichworte:
biosensor, semiconductor-electrolyte, Poisson-Boltzmann, k.p Schrödinger equation, ballistic quantum transport, contact block reduction method, CBR method 
Übersetzte Stichworte:
Biosensor, Halbleiter-Elektrolyt, Poisson-Boltzmann, k.p Schrödinger-Gleichung, ballistischer Quantentransport, Contact-Block-Reduction-Methode, CBR Methode 
Kurzfassung:
In this work, systems that consist of a combination of semiconductor materials and liquids are calculated. These biosensors have a solid–electrolyte interface, and the charges in the solid and in the electrolyte are coupled to each other through the Poisson–Boltzmann equation, which is self-consistently solved together with the Schrödinger equation. An extension of the Poisson–Boltzmann model allows one to distinguish between hydrophobic and hydrophilic interfaces. The distribution of ion specie...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
In dieser Arbeit werden Systeme berechnet, die aus einer Kombination von Halbleitermaterialien und Flüssigkeiten bestehen. Diese Biosensoren weisen eine Festkörper–Elektrolytgrenzfläche auf, wobei die Ladungen im Festkörper und in der Flüssigkeit über die Poisson–Boltzmann-Gleichung gekoppelt sind, die zusammen mit der Schrödinger-Gleichung selbstkonsistent gelöst wird. Mit einer Erweiterung der Poisson–Boltzmann-Gleichung wird zwischen hydrophoben und hydrophilen Grenzflächen unterschieden. Die...    »
 
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology 
Bandnummer:
135 
Mündliche Prüfung:
22.11.2011 
Dateigröße:
9717794 bytes 
Seiten:
239 
Letzte Änderung:
30.11.2011