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Original title:
Parametric Reliability of 6T-SRAM Core Cell Arrays
Translated title:
Parametrische Zuverlässigkeit von 6T-SRAM Speicherzellblöcken
Year:
2012
Document type:
Dissertation
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Advisor:
Schmitt-Landsiedel, Doris (Prof. Dr.)
Referee:
Schmitt-Landsiedel, Doris (Prof. Dr.); Stechele, Walter (Prof. Dr. habil.)
Language:
en
Subject group:
ELT Elektrotechnik
Keywords:
SRAM, NBTI, PBTI, HCI, Reliability, Countermeasures
Translated keywords:
SRAM, NBTI, PBTI, HCI, Zuverlässigkeit, Gegenmaßnahmen
Abstract:
The increasing integration density of microelectronic circuits results in aging mechanisms, some of them shifting the parameters of MOS transistors during lifetime. This work focuses on the impact of these parametrical degradation mechanisms on Static Random Access Memory (SRAM) arrays. First, the impact of each effect on single SRAM cells was simulated. Because of presently non-sufficient simulation models, these results had to be confirmed and completed by measurements. By using novel measurem...    »
Translated abstract:
Die zunehmende Integrationsdichte mikroelektronischer Schaltungen führt verstärkt zu Alterungsmechanismen, wovon einige die Parameter von MOS Transistoren während der Betriebszeit verschieben. Diese Arbeit befasst sich mit den Auswirkungen dieser parametrischen Degradationseffekte auf Blöcke statischer Speicherzellen (SRAM). Dazu wurden zunächst die Auswirkungen jedes Effekts auf einzelne Speicherzellen simuliert. Aufgrund bisher nicht hinreichend genauer Modelle mussten diese Ergebnisse durch M...    »
Date of submission:
14.10.2011
Oral examination:
16.03.2012
File size:
4748933 bytes
Pages:
169
Last change:
02.04.2012
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