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Originaltitel:
Analyse ioneninduzierter Ausfallmechanismen in hochintegrierten CMOS-Speicherzellen 
Übersetzter Titel:
Analysis of ion induced failure mechanisms in highly integrated CMOS memory cells 
Jahr:
2014 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.); Silber, Dieter (Prof. Dr.) 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik 
Kurzfassung:
In der vorliegenden Arbeit werden zwei Arten von nichtdestruktiven, ionenstrahlungsbedingten Ausfällen, Soft Errors und Single Event Latchup, von CMOS-Speicherzellen mit numerischen 3D-Simulationen analysiert. Für die Soft Errors werden einzelne n-Kanal-MOSFETs modelliert, aber auch benachbarte n-Kanal-Transistoren unterschiedlicher SRAM-Zellen, um parasitäre Effekte auf benachbarte Zellen zu untersuchen. Für die Betrachtung des Single Event Latchups wird der Thyristorpfad eines Inverters des S...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
In this work two kinds of nondestructive, ion radiation induced failures, soft errors and single event latchup, of CMOS memory cells were analysed by means of numerical 3D-simulations. For the soft errors single n-channel-MOSFETS were modelled, but also adjoining n-channel transistors of different SRAMs cells in order to study parasitic effects on neighbouring cells. For the consideration of the single event latchup the thyristor path of an inverter of the SRAM was modelled. This work describes...    »
 
Mündliche Prüfung:
05.11.2014 
Dateigröße:
7222202 bytes 
Seiten:
142 
Letzte Änderung:
31.03.2015