Die vorliegende Arbeit untersucht die ultraschnelle Dynamik von hochenergetischen gebundenen und freien Ladungsträgern in den Halbleitern GaAs und CdTe. Besonderes Augenmerk gilt dabei der kohärenten Kopplung angeregter Ladungsträger mit Photonen und Phononen. In nichtlinearer Ultrakurzzeit-Spektroskopie werden an Halbleiteroberflächen erzeugte, hochenergetische Exzitonen nachgewiesen und umfassend im Hinblick auf ihre Wechselwirkungen mit dem Kristallgitter und ihre Eigenschaften in Grenzflächennähe charakterisiert. Kohärente Mischzustände aus Exzitonen und LO-Phononen werden im schwach polaren GaAs beobachtet und gezielt dephasiert. Erstmals wird auch die Phasenrelaxation freier Ladungsträger in GaAs über einen großen Bereich von Anregungsdichten studiert. Systematische Messungen zur Besetzungsrelaxation von Leitungsband-Elektronen ergeben LO-Phonon-Emissionszeiten von 240 fs bzw. 75 fs in GaAs bzw. CdTe.     «

Die vorliegende Arbeit untersucht die ultraschnelle Dynamik von hochenergetischen gebundenen und freien Ladungsträgern in den Halbleitern GaAs und CdTe. Besonderes Augenmerk gilt dabei der kohärenten Kopplung angeregter Ladungsträger mit Photonen und Phononen. In nichtlinearer Ultrakurzzeit-Spektroskopie werden an Halbleiteroberflächen erzeugte, hochenergetische Exzitonen nachgewiesen und umfassend im Hinblick auf ihre Wechselwirkungen mit dem Kristallgitter und ihre Eigenschaften in Grenzfläche...     »

In this work, the ultrafast dynamics of highly energetic bound and free carriers in the semiconductors GaAs and CdTe is investigated. Especially the coherent coupling of excited carriers with photons and phonons is thoroughly analyzed. Highly energetic excitons - created at the surface of semiconductors - are detected via sensitive nonlinear spectroscopy and characterized concerning their interaction with the crystal lattice and their behaviour near the boundaries. Coherent states consisting of a mixture of both excitons and LO-phonons are observed in the weakly polar GaAs. For the first time, the phase relaxation of free carriers in GaAs is studied covering a wide range of excitation densities. Systematic measurements yield the time for the occupation relaxation of conduction band electrons due to the emission of LO-phonons of 240 fs and 75 fs in GaAs and CdTe, respectively.     «

In this work, the ultrafast dynamics of highly energetic bound and free carriers in the semiconductors GaAs and CdTe is investigated. Especially the coherent coupling of excited carriers with photons and phonons is thoroughly analyzed. Highly energetic excitons - created at the surface of semiconductors - are detected via sensitive nonlinear spectroscopy and characterized concerning their interaction with the crystal lattice and their behaviour near the boundaries. Coherent states consisting of...     »