The main objective of this thesis is to theoretically predict the stationary charge and spin transport in mesoscopic semiconductor quantum devices in the presence of phonons and device imperfections. Typcially, such devices are fabricated on a nanometer length scale. The transport at finite temperature in such devices is equally influenced by coherent and incoherent phenomena. We describe this transport in terms of nonequilibrium Green’s functions and significantly extend common concepts of this method. We answer many open questions of various transport problems and propose concrete device designs for THz Lasers and non-magnetic spin filters.     «

The main objective of this thesis is to theoretically predict the stationary charge and spin transport in mesoscopic semiconductor quantum devices in the presence of phonons and device imperfections. Typcially, such devices are fabricated on a nanometer length scale. The transport at finite temperature in such devices is equally influenced by coherent and incoherent phenomena. We describe this transport in terms of nonequilibrium Green’s functions and significantly extend common concepts of this...     »

Das Ziel dieser Arbeit ist die theoretische Beschreibung des stationären Ladungs- und Spintransports in mesoskopischen Halbleiterbauelementen unter dem Einfluss von Gitterschwingungen und Bauteildefekten. Die typische Ausdehnung solcher Bauteile liegt im Nanometerbereich. In diesen Bauteilen ist bei endlichen Temperaturen kohärenter und inkohärenter Transport gleich relevant. Wir beschreiben diesen Transport mit Nichtgleichgewichtsgreensfunktionen und erweitern wesentlich die bisherigen Konzepte dieser Methode. Wir beantworten viele offene Fragestellungen verschiedenster Transportprobleme und geben konkrete Vorschläge für effiziente THz Laser und nichtmagnetische Spinfilter.     «

Das Ziel dieser Arbeit ist die theoretische Beschreibung des stationären Ladungs- und Spintransports in mesoskopischen Halbleiterbauelementen unter dem Einfluss von Gitterschwingungen und Bauteildefekten. Die typische Ausdehnung solcher Bauteile liegt im Nanometerbereich. In diesen Bauteilen ist bei endlichen Temperaturen kohärenter und inkohärenter Transport gleich relevant. Wir beschreiben diesen Transport mit Nichtgleichgewichtsgreensfunktionen und erweitern wesentlich die bisherigen Konzepte...     »