In dieser Arbeit wurden zwei Methoden, beide basierend auf der Molekularstrahlepitaxie, für die reproduzierbare Herstellung von selbstorganisierten InAs-Nanostrukturen untersucht. Zuerst wurden, durch eine originelle Anwendung des Überwachsens von Spaltflächen, räumlich kontrollierte InAs-Nanostrukturen realisiert, die drei verschiedenen Komplexitätsgraden zuzuordnen sind: Nanodrähte, sowie einfache und doppelte Quantenpunktketten. Wesentlich für dieses Wachstum war die präferenzielle Nukleation der InAs-Schichten auf den (110) AlAs Oberflächen. Optische Untersuchungen demonstrierten schmale und stark polarisierte Lumineszenzlinien für einzelne und mehrere Quantenpunkte. Erstmalig wurden laterale Transporteigenschaften dieser InAs-Nanostrukturen untersucht. Das Wachstum von InAs Quantenpunkten wurde mit GaAs Nanodrähten kombiniert. Damit wurden erstmalig koaxiale Nanodraht-Quantenpunkt Heterostrukturen realisiert.
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In dieser Arbeit wurden zwei Methoden, beide basierend auf der Molekularstrahlepitaxie, für die reproduzierbare Herstellung von selbstorganisierten InAs-Nanostrukturen untersucht. Zuerst wurden, durch eine originelle Anwendung des Überwachsens von Spaltflächen, räumlich kontrollierte InAs-Nanostrukturen realisiert, die drei verschiedenen Komplexitätsgraden zuzuordnen sind: Nanodrähte, sowie einfache und doppelte Quantenpunktketten. Wesentlich für dieses Wachstum war die präferenzielle Nukleation...
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