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- Originaltitel:
- Spin and Optoelectronic Properties of Single Vacancies Embedded in Atomically Thin Semiconductor Devices
- Übersetzter Titel:
- Spin und Optoelektronische Eigenschaften von Einzelnen Vakanzen Eingebettet in Atomar Dünnen Halbleiterstrukturen
- Autor:
- Hötger, Alexander
- Jahr:
- 2024
- Dokumenttyp:
- Dissertation
- Fakultät/School:
- TUM School of Natural Sciences
- Institution:
- Lehrstuhl für Nanotechnologie und -materialien (NIM-Cluster) (Prof. Holleitner)
- Betreuer:
- Holleitner, Alexander (Prof. Dr.)
- Gutachter:
- Holleitner, Alexander (Prof. Dr.); Krischer, Katharina (Prof. Dr.)
- Sprache:
- en
- Fachgebiet:
- PHY Physik
- TU-Systematik:
- TEC 030; PHY 685; ELT 300
- Kurzfassung:
- Two-dimensional materials exhibit outstanding electronic and optical properties that can be tuned by various parameters, such as magnetic and electric fields, impurities, defects, and the dielectric environment. A He-ion beam focused on atomically thin 2D materials creates point-defects that can be utilized in future quantum networks. In this work, we characterize the sulfur vacancy in monolayer MoS2 with the help of magneto- and optoelectronic-spectroscopy methods.
- Übersetzte Kurzfassung:
- Zweidimensionale Materialien weisen hervorragende elektronische und optische Eigenschaften auf, die durch verschiedene Parameter wie magnetische und elektrische Felder, Verunreinigungen, Defekte und die dielektrische Umgebung beeinflusst werden. Ein He-Ionen Strahl, fokussiert auf atomar dünnen 2D-Materialien, erzeugt Punktdefekte. In dieser Arbeit charakterisieren wir die Schwefelvakanz in einlagigem MoS2 mit Hilfe von magneto- und optoelektronischen Spektroskopiemethoden.
- Serie / Reihe:
- Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology
- Bandnummer:
- Vol. 255
- ISBN:
- 978-3-946379-55-3
- WWW:
- https://mediatum.ub.tum.de/?id=1725146
- Eingereicht am:
- 06.11.2023
- Mündliche Prüfung:
- 09.02.2024
- Letzte Änderung:
- 29.04.2024
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