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Originaltitel:
InGaN Nanowires on Silicon 
Übersetzter Titel:
InGaN Nanodrähte auf Silizium 
Jahr:
2019 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.); Koblmüller, Gregor (Priv.-Doz. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik 
TU-Systematik:
PHY 685d; ELT 300d 
Kurzfassung:
In this thesis (i) the growth of InN nanowires on Si, (ii) the alloying of InN nanowires with Ga, and (iii) the electrical properties of the InN/InGaN-Si heterostructures are investigated. Spontaneously and selectively grown InN nanowires are investigated structurally. InGaN nanowires show an inhomogeneous distribution of Ga atoms. Current-voltage characteristics of the InN/InGaN-Si heterostructures show a rectifying behavior, which depends strongly on the doping of the Si substrate. 
Übersetzte Kurzfassung:
In der Arbeit werden (i) das Wachstum von InN-Nanodrähten auf Si, (ii) das Legieren von InN-Nanodrähten mit Ga, und (iii) die elektrischen Eigenschaften der InN/InGaN-Si-Heterostrukturen untersucht. Spontan und selektiv gewachsene InN-Nanodrähte werden strukturell untersucht. InGaN-Nanodrähte weisen eine ungleichmäßige Verteilung der Ga-Atome auf. Strom-Spannungs-Kennlinien der InN/InGaN-Si-Heterostrukturen zeigen ein gleichrichtendes Verhalten, das stark von der Dotierung des Si-Substrats abhän...    »
 
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie 
Bandnummer:
228 
ISBN:
978-3-946379-28-7 
Mündliche Prüfung:
18.07.2019 
Letzte Änderung:
04.11.2019